Абазначэнне Применение, элементная база Характеристика процесса
Полевые Р ДМОП транзисторы MOSFET

Маломощные     Мощные

Vtn=0,8–2,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–240 В    Uпр= 60–100В

Pmax=1,0 Вт          Pmax=150 Вт
Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

Проектная норма, мкм                           3.0

Подложка:                                    КДБ 0,005

эпитаксиальный слой:

толщина, мкм                                     13–34

удельное сопротивление, Ом*см    (2-21)

подзатворный окисел, нм                42,5-80

Межслойный диэлектрик      СТФСС(БФСС)

Пассивация:                                      НТФСС
Полевые N ДМОП транзисторы MOSFET

Маломощные     Мощные

Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В

Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт
Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

Проектная норма, мкм                           3.0

Подложка:                                      КЭС 0,01

эпитаксиальный слой:

толщина,  мкм                                      9-42

удельное сопротивление, Омxсм  (0,7-16)

подзатворный окисел, нм               42,5-80

Межслойный диэлектрик    СТФСС(БФСС)

Пассивация:                                    НТФСС
Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм MOSFET

NMOS: Vtn=2÷4 В 
Uмакс= 60÷900 В
Кол-во фотолитографий, шт.                    8

Проектная норма, мкм                           2.0

Подложка:               КЭС 0,015 / КЭМ 0,003

эпитаксиальный слой:

толщина, мкм                                        8-75

удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5

подзатворный окисел, нм              60-100

Межслойный диэлектрик   СТО + БФСС

Пассивация                       ПХО+ПХ SI3N4